Samsung готова к промышленному выпуску flash-накопителей класса 3D V-NAND

Виталий Стриж, 07 августа 2013 в 01:21. 3

Samsung готова к промышленному выпуску flash-накопителей класса 3D V-NAND
Корейский чипмейкер, компания Samsung анонсировала начало массового производства вертикальных 3D NAND или V-NAND чипов памяти после 10 лет исследований и разработок.

Tехнология, которая сейчас используется многими другими чипмейкерами (например Micron и Intel), допускает расположение ячеек памяти одна над другой вертикально в составе одного чипа, вместо их распределения в двух измерениях горизонтальной решетки.

Исходя из этих соображений технология 3D NAND может считаться концептуально новой. Многие производители говорили о проведении исследований в этом направлении, но о своих планах до сих пор молчат. Зато в сегодняшнем сообщении корейского производителя говорится о том, что «достижение больших успехов в вопросах производительности и занимаемой площади может привести к использованию принципиально нового вида памяти 3D V-NAND в пользовательской электронике и промышленном оборудовании, включая встроенные накопители на чипах NAND и твердотельные накопители класса SSD».

Samsung утверждает, что ее новые чипы класса V-NAND могут иметь емкость до 128 Гбит в одном чипе при использовании проприетарной вертикальной структуры ячеек, основанной на технологии «3D Charge Trap Flash» и использовании технологии вертикального взаимодействия для соединения массивов (слоев) 3D ячеек между собой.

В Samsung говорят, что эти две разные технологии позволяют увеличить в два раза объем обычных плоских массивов ячеек NAND flash (сделанных по техпроцессу 20нм).

Более сорока лет ячейки NAND flash развивались только в двух измерениях. Масштабирование чипов оказалось очень сложным, так как производители памяти продолжали лишь уменьшать габариты в направлениях X и Y, уменьшая техпроцесс из поколения в поколение.

Компания гордится тем, что «теперь может увеличивать емкость продуктов на базе памяти NAND flash путем наращивания числа слоев 3D ячеек, не применяя дальнейшее масштабирование (уменьшение) ячеек в горизонтальной плоскости, чего добиваться в последнее время стало невероятно сложно».

Кстати, мы только на прошлой неделе общались с представителями американского производителя памяти Micron, которые заверили нас, что компания занимается созданием промышленной технологии 3D NAND. Тогда Глен Хаук, вице-президент Micron утверждал, что память «3D NAND» является очередной революцией в системах хранения данных и способна открыть новую эру масштабирования в этой области.

Публикации по теме
Facebook потеряла доверие юзеров в 2018 году 03 апреля 2020, 12:33 Facebook потеряла доверие юзеров в 2018 году

Причиной этому послужили слухи о передаче виртуальным ресурсам конфиденциальных данных о пользователях сторонним организациям.Опрос проводили сотрудники аналитического агентства Toluna. Они составили список неудачников среди технологических компании. Лидером антирейтинга стала соцсеть Facebook. Она...

Google внедрила в Android «Сообщения» защиту от спама 03 апреля 2020, 10:32

Корпорация представила обновление, которое поможет защититься от SMS-спама.На данный момент обновлением приложения от Google может воспользоваться ограниченное число пользователей. Счастливчик, получивший возможность воспользоваться новыми функциями в Android «Сообщения», получает специальное...

Google внедрила в Android «Сообщения» защиту от спама
Пользователи «Яндекс» определили самые интересные события 2018 года 03 апреля 2020, 08:22 Пользователи «Яндекс» определили самые интересные события 2018 года

Возглавили список два противоречивых события: зимняя Олимпиада в Южной Корее и трагедия в кемеровской «Зимней вишне».Пользователи поисковой системы «Яндекс» определили самые интересные события уходящего 2018 года. Лидерами рейтинга оказались зимние Олимпийские игры в южнокорейском Пхенчхане и...