Samsung готова к промышленному выпуску flash-накопителей класса 3D V-NAND

Виталий Стриж, 07 августа 2013 в 01:21. 0

Samsung готова к промышленному выпуску flash-накопителей класса 3D V-NAND
Корейский чипмейкер, компания Samsung анонсировала начало массового производства вертикальных 3D NAND или V-NAND чипов памяти после 10 лет исследований и разработок.

Tехнология, которая сейчас используется многими другими чипмейкерами (например Micron и Intel), допускает расположение ячеек памяти одна над другой вертикально в составе одного чипа, вместо их распределения в двух измерениях горизонтальной решетки.

Исходя из этих соображений технология 3D NAND может считаться концептуально новой. Многие производители говорили о проведении исследований в этом направлении, но о своих планах до сих пор молчат. Зато в сегодняшнем сообщении корейского производителя говорится о том, что «достижение больших успехов в вопросах производительности и занимаемой площади может привести к использованию принципиально нового вида памяти 3D V-NAND в пользовательской электронике и промышленном оборудовании, включая встроенные накопители на чипах NAND и твердотельные накопители класса SSD».

Samsung утверждает, что ее новые чипы класса V-NAND могут иметь емкость до 128 Гбит в одном чипе при использовании проприетарной вертикальной структуры ячеек, основанной на технологии «3D Charge Trap Flash» и использовании технологии вертикального взаимодействия для соединения массивов (слоев) 3D ячеек между собой.

В Samsung говорят, что эти две разные технологии позволяют увеличить в два раза объем обычных плоских массивов ячеек NAND flash (сделанных по техпроцессу 20нм).

Более сорока лет ячейки NAND flash развивались только в двух измерениях. Масштабирование чипов оказалось очень сложным, так как производители памяти продолжали лишь уменьшать габариты в направлениях X и Y, уменьшая техпроцесс из поколения в поколение.

Компания гордится тем, что «теперь может увеличивать емкость продуктов на базе памяти NAND flash путем наращивания числа слоев 3D ячеек, не применяя дальнейшее масштабирование (уменьшение) ячеек в горизонтальной плоскости, чего добиваться в последнее время стало невероятно сложно».

Кстати, мы только на прошлой неделе общались с представителями американского производителя памяти Micron, которые заверили нас, что компания занимается созданием промышленной технологии 3D NAND. Тогда Глен Хаук, вице-президент Micron утверждал, что память «3D NAND» является очередной революцией в системах хранения данных и способна открыть новую эру масштабирования в этой области.

Публикации по теме
Новости OSZone – всё 29 октября 2017, 14:26 Новости OSZone – всё

На сайте OSZone больше не будут публиковаться новости Microsoft, IT и железа. С февраля 2007 года у нас вышло почти 20 тысяч новостей по этим темам, и я хочу поблагодарить всех авторов, более 10 лет наполнявших ресурс свежими материалами. Отдельное огромное спасибо Алексею Алтухову, опубликовавшему свыше 10 тысяч...

В канале «Ранний доступ» появилась сборка Windows 10 17017 14 октября 2017, 10:15

В пятницу компания Microsoft выпустила не только кумулятивное обновление для финальной версии Windows 10 Fall Creators Update, но и очередную предварительную сборку для всех инсайдеров в канале «Ранний доступ». Раньше здесь было разделение между сборками Redstone 3 и Redstone 4 при выборе опции Skip ahead, но теперь этого...

В канале «Ранний доступ» появилась сборка Windows 10 17017
Выпущено обновление Windows 10 16299.19 14 октября 2017, 09:05 Выпущено обновление Windows 10 16299.19

Три дня осталось до начала распространения обновления Windows 10 Fall Creators Update среди всех пользователей этой операционной системы. В преддверии этого события компания Microsoft выпустила очередное кумулятивное обновление, которое пришло на смену вышедшему 11 дней назад обновлению 16299.15.Новая сборка получила...