Память DDR4 от Samsung готова к производству на 98 %

Samsung Electronics, производитель памяти номер один в мире, продемонстрировала чипы DDR4 и сами модули памяти на торговой конференции разработчиков. Кроме того, компания рассказала о своих планах на ближайшие годы.

Установка нового стандарта памяти DRAM протекает достаточно медленно по нескольким причинам. Изначально завершение работы было запланировано на 2011 год, а начало продаж – на 2012. Но после большого количества изменений и модернизаций, работа над новым стандартом памяти будет завершена в течение этого года, а корпорация Intel начнет использовать его только в 2014.

В ходе конференции Samsung продемонстрировал уже известную общественности 284-контактную память PC4-17000(2133 Мгц), основанную на модулях K4A46045QB, представленных в начале года. Впрочем, на этот раз тут стоит чип от IDT, а не от Texas Instruments. Компания намекнула, что может начать выпуск в любое время, но готовность на 98% требует доработки.

Хотя разработка еще не доделана, планы на нее у Samsung уже сформировавшиеся. В следующем году запланировано поднятие скорости до 2400Mhz, в то время, как модули для серверов в 2014 году будут работать с частотой 2666Ghz. Intel и Samsung планируют увеличить скорость модулей памяти до внушительных 3.20 Ghz.

Разработка DDR4 подразумевает использование инновационных операций – дабы достичь высокой скорости и работы и возможности применения с различными устройствами.
Что касается напряжения, то DDR4 будет работать с 1.2V. Скорость передачи на начальном уровне будет составлять 1.6 GT/s, с последующим ее увеличением до 3.2. Планируется так же применение многих современных технологий.

Но достижение высокого уровня производительности потребует компромисса. С DDR4 каждый канал памяти будет поддерживать только один модуль. Чтобы увеличить объем памяти, создатели прибегнут к технологии TSV. В случае с серверными модулями, будут применены специальные переключатели, которые позволят достичь большей производительности.